• Квантовая электроника, фотоника и нелинейная оптика.
  • Материалы и приборы нанофотоники и наноплазмоники.
  • Нелинейная динамика, синергетика и фрактальная геометрия в радиофизике и оптике.

Председатель секции: 

Докладчик Соавторы Страна, город Организация Название доклада
Трифонова Алина, аспирант Рямбов Роман, аспирант Россия, Томск НИ ТГУ Характеристики вынужденного излучения в этанольном растворе красителя с наночастицами при облучении фемтосекундными лазерными импульсами,
Сарычев Валерий Тимофеевич, проф.,проф. д.ф-м.н. Соавторов нет Россия, Томск НИ ТГУ Аннигиляция,
Мади Перизат Шаймуратовна, аспирант 1. Калытка Валерий Александрович — доцент кафедры, доктор PhD
2. Коровкин Михаил Владимирович – старший научный сотрудник, д-р физ.-мат. наук,
3. Мехтиев Али Джаванширович — ассоциированный профессор, научный сотрудник, к.т.н.
4. Мади Перизат Шаймуратовна – ст.преподаватель, аспирант
5. Баширов Александр Витальевич — руководитель лаборатории, к.т.н.
1. Караганда, Республика Казахстан: 2.Томск, Российская Федерация; 3. Нур-Султан, Республика Казахстан, Томск, Россия; 4. Караганда, Республика Казахстан, Томск Российская Федерация; 5. Караганда, Республика Казахстан 1. Карагандинский технический университет; 2. Национальный исследовательский Томский политехнический университет; 3. Казахского агротехнического университет им.С.Сейфуллина, Национальный исследовательский Томский политехнический университет; 4. Карагандинский технический университет, Национальный исследовательский Томский политехнический университет; 5. Карагандинский университет Казпотребсоюза Квантово-механическая модель диэлектрических потерь в нанометровых слоях твердых диэлектриков с водородными связями при сверхнизких температурах
К
Ижнин Игорь Иванович 1,2, ведущий научный сотрудник, профессор, докт. физ.-мат. наук Войцеховский Александр Васильевич 2, зав. кафедрой, профессор, докт. физ.-мат. наук 2;
Коротаев Александр Григорьевич 2, декан, доцент, канд. физ.-мат. наук;
Мынбаев Карим Джафарович 3,4, нач. отдела, профессор, докт. физ.-мат. наук;
Варавин Василий Семенович 5, ст. научн. сотр., ст. научн. сотр., канд. физ.-мат. наук;
Дворецкий Сергей Алексеевич 5, зав. лаборатории, ст. научн. сотр., канд. физ.-мат. наук;
Михайлов Николай Николаевич 5, ст. научн. сотр., ст. научн. сотр., канд. физ.-мат. наук;
Якушев Максим Витальевич 5, зам. директора, ст. научн. сотр., докт. физ.-мат. наук;
Świątek Zbignew6, профессор, профессор, докт. наук.
1 Украина, Львов; 2 Россия, Томск; 3,4 Россия, С.Петербург; 5 Россия, Новосибирск; 6 Польша, Краков 1 Научно-производственное предприятие «Электрон-Карат»; 2 Национальный исследовательский Томский государственный университет; 3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; 4 Университет ИТМО; 6 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН; 6 Institute of Metallurgy and Material Science PAN Состав носителей в имплантированных бором МЛЭ пленках р-CdHgTe.
Douhan Rahaf.M.H., аспирант Коханенко Андрей Павлович, Профессор, старший научный сотрудник, д-р физ.-мат. наук.
Лозовой Кирилл Александрович, Научный сотрудник, Научный сотрудник, канд. физ.-мат. наук.
Россия, Томск НИ ТГУ Теоретическое и экспериментальное сравнение многослойных Ge/Si фотоприемников с квантовыми точками
Винарский Владимир Петрович А.П. Коханенко, профессор ТГУ, д.ф.-м.н.
К.А. Лозовой, доцент ТГУ, к.ф.-м.н.
Россия, Томск НИ ТГУ Моделирование эпитаксиального формирования двумерных материалов с учётом зависимости поверхностной энергии от толщины.
Липатов Евгений Игоревич, заведующий лабораторией квантовых информационных технологий НИ ТГУ, к.ф.-м.н., Бураченко Александр Геннадьевич, Генин Дмитрий Евгеньевич, Колесник Екатерина Анатольевна, Рипенко Василий Сергеевич, Саввин Александр Демьянович, Шулепов Михаил Александрович Россия, Томск НИ ТГУ Алмаз в квантовых информационных технологиях
1-5
Слюнько Елена Сергеевна, студент Дёмин В.В.1,к.ф.-м.н, доцент
Юдин Н.Н. 1,2,3, инженер-исследователь НИ ТГУ
Зиновьев М.М.1,2,3- аспирант
Подзывалов С.Н.1,2,3 — студент
Журавлева Е.В. 1- аспирант
Пфайф А.А.1 — студент
Россия, Томск 1 Томский государственный университет, 2 ООО «ЛОК», 3 Институт оптики атмосферы им. В.Е. Зуева СО РАН Порог лазерного разрушения нелинейных кристаллов GaSe и GaSe:In на длине волны 2091 нм
Дирко Владимир Владиславович, младший научный сотрудник, аспирант Коханенко Андрей Павлович, Лозовой Кирилл Александрович, Войцеховский Александр Васильевич Россия, Томск НИ ТГУ Динамика перестройки поверхности при синтезе эпитаксиальных пленок Ge и GeSi.
Эрвье Юрий Юрьевич, профессор, без звания, доктор физ.-мат. наук без соавторов Россия, Томск НИ ТГУ О начальной стадии роста нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III-V
Кукенов Олжас Игоревич, студент Дирко Владимир Владиславович м.н.с., аспирант; Коханенко Андрей Павлович проф., д-р физ.-мат. наук.; Лозовой Кирилл Александрович с.н.с., канд. физ.-мат. наук. Россия, Томск НИ ТГУ Анализ гомоэпитаксиального роста тонких пленок кремния на сверхструктурах 1х2 и 2х1 методом дифракции быстрых электронов.
Тимофеев Вячеслав Алексеевич, снс, к.ф.-м.н. Машанов Владимир Иванович, Никифоров Александр Иванович, Скворцов Илья Владимирович, Гаврилова Татьяна Александровна, Коляда Дмитрий Владимирович, Фирсов Дмитрий Дмитриевич, Комков Олег Сергеевич Россия, Санкт-Петербург (Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» Тонкие пленки Sn при формировании фасетированной поверхности и росте наноструктур GeSn
Дзядух Станислав
Михайлович,
старший научный
сотрудник, старший
научный сотрудник,
кандидат физико-
математических
наук
Войцеховский Александр Васильевич, заведующий кафедрой, профессор, доктор физико-математических наук;
Дзядух Станислав Михайлович, старший научный сотрудник, старший научный сотрудник, кандидат физико-математических наук;
Горн Дмитрий Игоревич, старший научный сотрудник, старший научный сотрудник, кандидат физико-математических наук;
Дворецкий Сергей Алексеевич, старший научный сотрудник, старший научный сотрудник, кандидат физико-математических наук;
Михайлов Николай Николаевич, старший научный сотрудник, доцент, кандидат физико-математических наук;
Якушев Максим Витальевич, заведующий лабораторией, профессор, доктор физико-математических наук;
Сидоров Георгий Юрьевич, старший научный сотрудник, кандидат физико-математических наук.
Россия, Томск НИ ТГУ Электрофизические характеристики униполярных барьерных структур на основе МЛЭ HgCdTe для детектирования в спектральных диапазонах 3 – 5 и 8 – 12 мкм
Дзядух Станислав Михайлович, доцент, канд. физ.-мат.наук Войцеховский Александр Васильевич, профессор, доктор физ.-мат. наук
Несмелов Сергей Николаевич, ст. науч. сотр., канд. физ.-мат. наук
Копылова Татьяна Николаевна, зав. лабораторией, доктор физ.-мат. наук
Дегтяренко Константин Михайлович, ст. науч. сотр., канд. физ.-мат. наук
Россия, Томск НИ ТГУ Электрические свойства органо-неорганических систем на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3
Хомякова Кристина Игоревна, Магистрант Коханенко Андрей Павлович проф., д-р физ.-мат. наук.; Лосев Антон Вадимович ведущий инженер. Россия, Томск НИ ТГУ Исследование параметров детектора одиночных фотонов для квантовых коммуникаций.
Якименко Филипп Александрович, студент, Каширский Данила Евгеньевич, доцент, канд. физ.-мат. наук Россия,  Томск НИ ТГУ Мессенджер для квантовой сети топологии точка-точка
Никифоров Александр Иванович, заведующий лабораторией ИФП СО РАН, д.ф.-м.н. Тимофеев Вячеслав Алексеевич, с.н.с. ИФП СО РАН, к.-ф.м.н.; Машанов Владимир Иванович, вед.инж. ИФП СО РАН, к.-ф.м.н.; Скворцов Илья Владимирович, инж. ИФП СО РАН, Гуляев Дмитрий Владимирович, с.н.с. ИФП СО РАН, к.-ф.м.н., Гаврилова Татьяна Александровна, н.с. ИФП СО РАН, к.-ф.м.н. Россия, Новосибирск ИФП СО РАН Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктур на основе материалов 4 группы
Средин Виктор Геннадиевич, заведующий кафедрой военной академии РВСН им. Петра Великого, доктор физико-математических наук Сахаров Михаил Викторович, ЦНИИ №12 Министерства Обороны, доктор технических наук, профессор, Конради Дмитрий Сергеевич научный сотрудник, кандидат тепхнических наук, военная академия РВСН им. Петра Великого, Кузнецов Игорь Владимирович, старший преподаватель Россия, Балашиха Военная академия РВСН им. Петра Великого Оценка влияния внеосевой засветки ИК матричного фотоприемника на его обнаружительную способность
Есин Михаил Юрьевич, младший научный сотрудник. Дата рождения Дерябин Александр Сергеевич, младший научный сотрудник,
Тийс Сергей Александрович, старший научный сотрудник, к.ф.-м.н.,
Колесников Алексей Викторович, старший научный сотрудник, к.т.н.,
Никифоров Александр Иванович, заведующий лабораторией, д.ф.-м.н.
Россия, Новосибирск Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН Исследование кинетики сдваивания ступеней поверхности Si(100)
Торгаев Станислав
Николаевич, зав. каф., к.ф.-м.н., доцент
Каширский Данила
Евгеньевич, доцент,
к.ф.-м.н., Кулагин
Антон Евгеньевич,
ассистент, Тригуб
Максим Викторович,
с.н.с., к.т.н., доцент,
Евтушенко Геннадий
Сергеевич, г.н.с.,
д.т.н., профессор
Россия,
Томск (Торг
аев, Кулагин,
Каширский,
Тригуб), Москва (Евтушенко)
НИ ТГУ
(Торгаев,
Каширский),
Национальный
исследовательский
Томский
политехнический
университет
(Торгаев, Кулагин, Евтушенко),
Федеральное
государственное
бюджетное
научное
учреждение
Научно-
исследовательский
институт –
Республиканский
исследовательский
научно-
консультационный
центр экспертизы
(Евтушенко),
Институт оптики
атмосферы им.
В.Е. Зуева СО РАН
(тригуб, Кулагин)
Оценка предельных температур
широкополосной засветки в
высокоскоростных активных оптических
системах