В зале презентаций Научной библиотеки ТГУ проходит секция 5 конференции «Актуальные проблемы радиофизики».
Со своим докладом «Влияния ступенчатой поверхности Si(100) на процесс зарождения островков Ge» выступает Есин Михаил.
Он вместе с научными сотрудниками отработали методику контроля формирования двухатомных ступенек методом ДБЭ пригомоэпитаксии Si на подложке Si(100) отклоненной от плоскости (111) на угол 0,4°.
