• Материалы и приборы микро-, опто- и наноэлектроники.
  • Полупроводниковые детекторы и сенсоры.

Председатель секции:

Докладчик Соавторы Страна, город Организация Название доклада
Воеводин Владимир Иванович, м.н.с., аспирант Саркисов Сергей Юрьевич, ст. науч. сотр., к.ф.-м.н. Россия, Томск НИ ТГУ Влияние постростовых технологических обработок на диэлектрические параметры кристаллов ZnGeP2 в терагерцовом диапазоне частот;
Сергеев Даулет Максатович, профессор, кандидат физико-математических наук Дуйсенова Айнур Гайсиевна, докторант; Ембергенов Жансултан Муратулы, магистрант Казахстан, Актобе Актюбинский региональный университет имени К. Жубанова Моделирование электротранспортных свойств Li-интеркалированной графеновой пленки
Дуйсенова Айнур Гайсиевна, докторант Сергеев Даулет Максатович, профессор, кандидат физико-математических наук Казахстан, Актобе Актюбинский региональный университет имени К. Жубанова Модель одноэлектронного транзистора на основе эндоэдрального фуллерена
Алмаев Дмитрий Александрович, студент Кушнарёв Богдан Олегович, младший научный сотрудник,
Алмаев Алексей Викторович, заведующий лабораторией, доцент, канд. физ.-мат. наук
Россия, Томск НИ ТГУ Исследование электрических свойств пленок Ga2O3 и Cr2O3 со структурой корунда и гетероструктуры на их основе
Пидченко Михаил Борисович, аспирант Филимонов Сергей Николаевич, декан ФФ ТГУ, канд. физ.-мат. наук Россия, Томск НИ ТГУ Влияние дисперсионных сил на поверхностную энергию полупроводниковых кристаллов
Юрченко Василий
Иванович, м.н.с.
Зятьков Денис
Олегович, м.н.с.
Черепанов Виктор
Николаевич, зав. кафедрой, д.ф.-м.н., доцент
Россия, Томск НИ ТГУ Исследование особенностей
формирования решетчатых структур в
плёнках для различной конфигурации
ориентирующего магнитного поля